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Pour s’être
pris de passion pour le carbure de silicium (SiC), “un matériau
aux propriétés électroniques extrêmement intéressantes”, ce
physico-chimiste confirmé, chargé de recherche au Laboratoire
des Multimatériaux et Interfaces (LMI) de l’Université Claude
Bernard, à Lyon, affiche déjà une production scientifique
de grande valeur.
Ses recherches, menées dans un domaine réputé difficile où
souffle une forte compétition internationale, s’inscrivent
dans le cadre du programme français “Alternative SiC” et l’amènent
à “travailler très en amont, sur la qualité même de ce matériau
réfractaire, qui nécessite actuellement de hautes températures
d’élaboration (jusqu’à 2 500 ° C). Pour ma part, j’interviens
au stade de l’élaboration du carbure de silicium en couches
minces. Tout le problème est de maîtriser cette technique
d’empilement des atomes, pour améliorer la qualité intrinsèque
du matériau SiC, lui conférer des propriétés spécifiques et
faciliter sa technique de fabrication ”. Avec, à terme, l’espoir
de voir le SiC supplanter le silicium…
(source : CNRS)
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